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FLASHDRV
- AT29C040，W29C040及其兼容小扇区，5V，FLASH MEMORY 读写程序。这类芯片扇区为256字节。MX29C040等512字节需修改扇区字节数据。本程序在成功应用在三菱M30802，M30620等系列CPU上。供参考。-AT29C040, W29C040 small sector and its compatibility, 5V, FLASH MEMORY read and write procedures. Such chips for 256-byte sector. M
96_25045
- x25045的编程应用，它具有512字节的EPROM，看门狗，复位信号等，是MCU不错的外围芯片-x25045 programming application, which has 512 bytes of EPROM, watchdog, reset signal, MCU is a good peripheral chips
51_25045
- x25045的编程应用（51汇编格式），它具有512字节的EPROM，看门狗，复位信号等，是MCU不错的外围芯片 -x25045 application programming (51 Series format), which has 512 bytes of EPROM, the watchdog, the reset signal is a good external MCU chip
CRC
- 网站上的算法大都是查512字节表的，对单片机来讲，太浪费空间了。 据老古网上资料，修改并测试通过以下算法：
gpseep
- 微程序控制器采用ATMEL AVR MEGA162，该MCU为双串口，16 k字节系统内可编程FLASH，512字节EEPROM等。MCU工作流程为：(1) 上电复位，初始化各输入输出端口，定时器，串口等；(2) 初始化GPS，输出数据仅保留RMC；(3) 初始化GPRS，设置服务器IP地址，端口；(4) MCU循环读出来自GPS的数据，通过GPRS发送至服务器。
AT45DB161
- 1、直到批号为0645的片子，chip erase指令还是不可靠的， 这在datasheet 52页有描述。 2、芯片的页大小寄存器只能写一次（OTP）， 如果配置为每页512字节后就再也不能写回每页528字节了。 3、网上很多例程是旧版的161B的程序，跟161D操作指令有不少差别， ATMEL已经不建议使用这些旧指令了， 移植的时候注意对照DATASHEET修改过来。 4、写入时一定要查询状态寄存器的忙碌标志， 否则后续指令无效，外
4bit_BCH_code
- 4bit BCH ECC 代码 512字节可纠4bit错-4bit BCH ECC code correct 4bit error in every 512 bit
CRC-16LHF
- MCS51的CRC-16快速查表计算函数 要预先生成CRC16查表数据，起始地址CRC16TAB，按高/低字节顺序存放(512字节) // CRC-CCITT16 = X16+X12+X5+1, 00010000 00100001($1021) 郑州 汉威光电 刘海峰编制 （0371-62003091）,欢迎交流-MCS51 the CRC-16 fast look-up table calculation function to pre-generated look-up tab
YG_12864_A
- LCD 显示屏由三片控 制，每个内部带有6 （512字节） 的RAM 对应关系如右图所示 片选对应表：
cp2102(chinese)
- 单芯片 USB 转 UART 数据转换器 - 集成的 USB 收发器无需外部电阻 - 集成的时钟无需外部振荡器 - 集成的 512 字节 EEPROM 用于为供应商代码产品代码序列号功率标牌版本号和产品描述等数据提供存储空间 - 片内上电复位电路 - 片内电压调节器3.3V 输出 USB 功能控制器 -符合USB 规范 2.0 全速 (12 Mbps) -通过SUSPEND 和 RI 引脚支持的USB中止状态-Single-Chip USB to UART Dat
Bulkloop
- 端口环路测试 本工程基于CYPRESS的固件程序框架，程序中设置了4个FIFO端点 2个块输出端点：EP2OUT、EP4OUT 2个块输入端点：EP6IN、EP8IN 程序执行时，往EP2OUT/EP4OUT填充数据后将立即通过自动指针传送送到EP6IN/EP8IN端点（未经过外部RAM）， 来进行批量端点环路测试。 打开工程文件加下的cybulk块传输软件，选择对应端点通道（如：OUT:0X02,IN:0X86 ）设置传输数据大小 和传送的内容后，点击右
ch375
- ch375读写u盘C51示例源程序 ＃i nclude "datatype.h"＃i nclude "console.h"＃i nclude "44b0x.h"＃i nclude <string.h> /* 以下定义的详细说明请看CH375HF9.H文件 */#define LIB_CFG_FILE_IO 1 /* 文件读写的数据的复制方式,0为"外部子程序",1为"内部复制" */#
eeprom
- NXP公司LPC900 51增强型单片机，其内部带512字节的EEPROM，用C语言编写，经过项目应有-NXP LPC900 51 companies enhanced MCU with 512 bytes of its internal EEPROM, use the C language, through the project should be
RTC
- dsp 2812 的带实时时钟 和eeprom的芯片X1226包括RTC实时时钟和512字节的EEprom-dsp 2812' s with a real time clock and eeprom chip X1226 including RTC real time clock and 512 bytes of EEprom
brcm_nand_ecc
- BRCM 平台ECC算法(C语言),该算法可以产生3字节的ECC,每512字节一组-BRCM NAND Flesh Memory ECC Encoder (Hamming code and BCH codes)
cn_ATmega8
- 产品特性 • 高性能、低功耗的 8 位 AVR® 微处理器 • 先进的 RISC 结构 – 130 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期 – 32 个 8 位通用工作寄存器 – 全静态工作 – 工作于 16 MHz 时性能高达 16 MIPS – 只需两个时钟周期的硬件乘法器 • 非易失性程序和数据存储器 – 8K 字节的系统内可编程 Flash 擦写寿命 : 10,000 次 – 具有独立锁定位的可选 Bo
C8051F310-In-System-Programming
- 用单片机，有些数据设置后需要掉电不丢失，一般首先想到的是使用eeprom，比如AVR中的Atmega系列有内部eeprom，也可以外接AT24C01之类的eeprom。这里介绍另外一种参数保存方法，Silicon Laboratories的C8051F系列，其内部程序存储区Flash可以在系统编程，功能类似于eeprom，掉电不丢失。 C8051F310内部有16K的在系统可编程Flash，地址从0x0000到0x3dff，以512字节作为一个扇区，这意味着每次擦除的时候，是对整个扇区
App
- 文件系统源码：在STM32F103RC的片内Flash(256K)使用FatFS系统系统，在STM32片内Flash最后100页(可宏定义设置区间和大小)使用FatFS, 模拟NAND Flash把片内Flash做为一个zone，每页做为一块(block)，每页分成4份(每份为一段sector, 512字节)。-Source file system: in STM32F103RC chip Flash (256K) FatFS system using the system in the las
USB_Disk
- spi flash写的U盘，可以实现读写，每个扇区512字节(udisk which can read and write with fatfs)
VCO0706
- VCO0706 串口通讯拍照摄相头C语应用，读取接收一包JPEG数据函数的示例 本段放在头文件中，设一包JPEG数据为512字节。(VCO0706 serial communication C language application camera camera.)