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ARMSYS
- 杭州利宇泰公司的基于44B0的ARMSys开发板上的大量源代码，包括ADC、ARP、彩色LCD、外部中断、以太网底层函数、FAT16文件系统、Flash ROM、GUI软件包、Helloworld程序、IIC接口、扫描键盘、Ping程序、44B0内置RTC示例、SDRAM接口、定时器示例、触摸屏示例、UART示例和uC/OS-II的移植、应用（包括多任务、任务间通信、中断服务程序）、UDP数据传输、USB固件编写等程序代码和工程。一次性共享给大家使用。可以作为其他samsung44B0开发板上应
Setup_JLinkARM_V400a.zip
- USB driver, J-Mem jlink.exe and jlinkarm.dll J-Flash* J-Link RDI* (includes flashdownloader* and support for unlimited number of flash breakpoints*) GDB server* ,USB driver, J-Mem jlink.exe and jlinkarm.dll J-Flash* J-Link RDI* (includes
at91_sam7s64_iar_Ex
- AT91SAM7S64EK开发板源码，ARM入门的最佳参考选择，里面包含多个实验程序，ADC & Flash & PWM Audio等。-AT91SAM7S64EK source development board, ARM reference to choose the best entry, which contains a number of experimental procedures, ADC & Flash & PWM Audio and so on.
ourdev_5
- 我在使用陈明计先生写的small RTOS和51单片机做过几个小项目，起初都很好，开发变的容易了，程序变的容易修改。后来随着任务个数的增多，RAM很快就不够用了。51系列的芯片内部RAM普遍都是256个,很难找出1024个字节RAM或更多，而价格又合适的。记得上一次我没有办法被迫使用了64K flash内部带768字节的XRAM的51芯片，而我根本用不到那么多flash。-I use Mr. Chen Mingji written small RTOS and 51 MCU done seve
nand_read
- 本源码是基于S3C—6430的ARM11嵌入式开发板的NAND FLASH程序的编写。NAND写回速度快、芯片面积小，特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元，一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH)，多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同，通常以16页或32页比较常见。块容量计算公式比较简单，就是页面容量与块内页面数的乘积。根据FLASH Memory容量大小，不同存储器中的块、页大小可能不同，块内页面数也不同。例如：8 MB
NAND-Flash-Code-Information
- 三星Nand Flash编号解释文档 解释三星各款Nand flash编号的意义。-Samsung Nand Flash Number explain the document
NXP_17xx_IAP
- NXP MCU 17xx_IAP 在线升级模块-For in application programming the IAP routine should be called with a word pointer in register r0 pointing to memory (RAM) containing command code and parameters. Result of the IAP command is returned in the result table
Save
- 针对STM32F10x系列设计的内部FLASH数据保存模块 相对循环页擦除算法，采用更简洁的单页无限擦除算法，当该页擦坏(10W次)自动跳转到下一页使用，在系统规划时只要设置一定数量的保留页，可满足常规产品使用寿命的设计要求。 功能与稳定性已经过商用项目验证。-Relative page erase cycle algorithm, using more concise one-page infinite erase algorithms, when the page chafe
stm32_datasheet_CN
- 本手册是STM32微控制器产品的技术参考手册 参照2009年12月 RM0008 Reference Manual 英文第10版 ，技术参考手册是有关如何使用该产品的具体信息，包含 各个功能模块的内部结构、所有可能的功能描述、各种工作模式的使用和寄存器配置等详细信息。 技术参考手册不包含有关产品技术特征的说明，这些内容在数据手册中。数据手册中的内容包括：产品 的基本配置( 如内置Flash和RAM的容量、外设模块的种类和数量等) ，管脚的数量和分配，电气特性，封 装信
FLASH_Program
- This example provides a descr iption of how to program the STM32F4xx FLASH. After Reset, the Flash memory Program/Erase Controller is locked. To unlock it, the FLASH_Unlock function is used. Before programming the desired addresses, an erase
STM32_PVD
- stm32f0的PVD源码，在掉电时自动将当前次数写入Flash-stm32f0 of PVD source when power down automatically writes the current number of Flash