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NANDFLASH
- INTEL nand flash的测试程序 包括读写block都已经写完 在3203的板子上已经测试通过
STM32_NandFlash_Disk
- STM32做的NAND FLASH U盘程序,包括NAND FLASH坏块管理-STM32 do NAND FLASH U disk procedures, including bad block management NAND FLASH
nandflash
- 基于S3C2440,K9F1G08U0A NAND Flash器件,实现向NAND Flash的某个块写数据,然后从这个块读出数据。-Based on S3C2440, K9F1G08U0A NAND Flash devices, to achieve a block to the NAND Flash write data, and then read data from this block.
nand_read
- 本源码是基于S3C—6430的ARM11嵌入式开发板的NAND FLASH程序的编写。NAND写回速度快、芯片面积小,特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元,一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH),多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同,通常以16页或32页比较常见。块容量计算公式比较简单,就是页面容量与块内页面数的乘积。根据FLASH Memory容量大小,不同存储器中的块、页大小可能不同,块内页面数也不同。例如:8 MB
NAND-Flash-bad-block-memangement
- Nand flash通常使用的坏块管理方法-Bad block management methods commonly used Nand flash