C54x存储器及自举加载技术 C语言编程-C54x memory load and the bootstrap technique C language programming

以TMS320VC5410为例,介绍对m29LV200BFlash存储器进行程序分页烧写以及上电后多页用户程序并行自举的方法。对多页Flash存储器的烧写,须在烧写过程中对已烧写的数据长度进行动态判断, 当达到预定烧写长度后对Flash进行换页,然后继续烧写,重复上述换页过程,直到程序烧写完为止。对 多页程序的并行自举,在系统上电后,利用TI提供的自举程序,将一个用户自己编写的前导程序载入DSP,利用该前导程序将多页程序载入DSP来实现程序的自举。此方法适用于多种Flash芯片和C500

用dsp实现去到信号中的直流分量，C64系列，小端存储，C语言实现，采用Q格式定点运算，输入数据在Q13格式，使用前，先将dat文件的load到inp_buffer地址的内存里，可用graphy观看输入输出波形-Go to the signal using dsp realize the DC component, C64 series, little-endian, C language, using fixed-point arithmetic Q format, the input dat

TMS320C54x片内有1条程序总线，3条数据总线和4条地址总线。这3条数据总线（CB、DB和EB）将内部各单元连接在一起。其中，CB和DB总线传送从数据存储器读出的操作数，EB总线传送写到存储器中的数据。并行运算就是同时利用D总线和E总线。其中，D总线用来执行加载或算术运算，E总线用来存放先前的结果。 并行指令有并行加载和乘法指令，并行加载和存储指令，并行存储和乘法指令，以及并行存储和加/减法指令4种。所有并行指令都是单字单周期指令。并行运算时存储的是前面的运算结果，存储之后再进行加载或