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  1. Design_of_EMC_for_PCB

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  2. :高速混合PCB 的电磁兼容性设计首要解决合理安排布局布线和接地问题。分析基频和高频谐波、信号上 升或下降速率,电路的等效分布参数,传导耦合、辐射耦合和不匹配线的辐射、串音干扰等。根据板层、电源平面、 时钟电路和高频电路的布线原则进行布局布线。接地选择单点或多点接地。
  3. 所属分类:技术管理

    • 发布日期:2008-10-13
    • 文件大小:209.6kb
    • 提供者:杨沫涵
  1. STC12C5A60S2.pdf

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  2. STC12C5A60S2/AD/PWM系列单片机是宏晶科技生产的单时钟/机器周期(1T)的单片机,是高速/低功耗/超强抗干扰的新一代8051单片机,指令代码完全兼容传统8051,但速度快8-12倍。内部集成MAX810专用复位电路,2路PWM,8路高速10位A/D转换(250K/S),针对电机控制,强干扰场合。 1.增强型8051 CPU,1T,单时钟/机器周期,指令代码完全兼容传统8051; 2.工作电压:STC12C5A60S2系列工作电压:5.5V-3.3V(5V单片机)STC12LE5A
  3. 所属分类:编程文档

    • 发布日期:2012-10-18
    • 文件大小:1.88mb
    • 提供者:howard_dai
  1. 信号反弹作用下的3D-SIC过硅通孔的测试结构

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  2. 3d sic三维堆叠集成电路(3D-SIC)主要采用过硅通孔技术来实现模块在垂直方向上的互连,但是硅通孔在制造过程或绑定后阶段都有可能出现失效,导致整个芯片无法正常工作。我们针对绑定后阶段硅通孔,利用信号在导体中传输的不可逆性,在信号接收端增加反弹模块,通过在发送端施加两次不同测试激励,利用触发器和多路选择器将两次输出结果进行异或,来达到测试目的。在4x4硅通孔逻辑块中,硅通孔单元面积是45x45um2,180nm CMOS工艺下,实验结果表明,测试结构面积和测试平均功耗分别减少59.8%和18
  3. 所属分类:技术管理

    • 发布日期:2013-03-07
    • 文件大小:1.16mb
    • 提供者:yang_kael
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