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SDRAM_DEVICE_OPERATION
- 三星公司SDRAM（K4S643232H-TC/L60 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM） 器件操作时序，本中文的页码和原英文对应的页码内容相对应-Samsung SDRAM (K4S643232H-TC/L60 4 x 51 Banks 2K x USB Synchronous DRAM) devices operate timing, the pages of the Chinese and English counterparts of the
MPC8270-EXT-v10
- CPU MPC8270 SDRAM K4S561632 x4(128Mbyte) BOOT FLASH AM29LV640(8MByte) Nand FLASH 兼容三星的K9F系列的FLASH CPU JTAG口 核心板集成 串口 3个 SMC1、SMC2、SCC1 （SMC1扩展板和核心板都有输出接口） 以太网口 3个 FCC1、FCC2、FCC3 可编程发光二极管 6个 可编程发光数码二极管 1个 系统外部中断输入 4个 外部系统复位输入 1个
S3C44BOX_SCH
- 三星44B0X原理图资料，包括Etc、FLASH、Interface、LCD、S3C44B0X、Sdram等6个PDF文档-Samsung 44B0X diagram information, including Etc., FLASH, Interface, LCD, S3C44B0X, Sdram other six PDF files
Init_SDRAM
- AT91RM9200 SDRAM初始化脚本文件，ADS1.2使用，SDRAM为三星K4S641632E，使用脚本后可以将代码直接通过JTAG下载到SDRAM中，在SDRAM中进行仿真调试，启动文件不要进行修改直接可以使用，同时打开CP15的指令缓存和数据缓存-AT91RM9200 SDRAM initialization scr ipt file, ADS1.2 use, Samsung K4S641632E of SDRAM, After using a scr ipt code can be
sdraminit.rar
- 三星2410及2440的h-jtag的sdram初始化脚本，直接导入即可调试,Samsung 2410 and 2440 the sdram of the h-jtag initialization scr ipt, you can debug directly into
Src_S3C2410_SDRAM
- 三星S3C2410的SDRAM例子代码，希望对大家有用-The SDRAM Samsung S3C2410 example code, everyone would like to be useful
S3C44B0X
- 用的是三星的S3C44B0X，板子上有8M SDRAM、2M NOR FLASH、16M NAND FLASH、USB接口和两个串口 5-Using a Samsung S3C44B0X, board have 8M SDRAM, 2M NOR FLASH, 16M NAND FLASH, USB interface and two serial 5
4510bootloader
- 源码是4510 Bootloader的实现，基于三星4510B，假设开发板上有2M的Flash作为Boot rom，SDRAM的大小是16M。开发环境是ADS1.2-4510 Bootloader source is the realization, based on the Samsung 4510B, the assumption that the development board 2M of Flash as a Boot rom, SDRAM size is 16M. Developm
sysDemo
- 为什么叫纯洁的：这里的工程文件使用三星原版代码提供的控制器代码实现了 串口输入输出、时钟——这是做系统必须要提供的基本代码。这里做一份保留。 sysDemo.rar是一份系统负担统计的演示工程，演示每秒钟Idle循环次数。 补充：所有的工程不进行存储器配置，默认板上SDRAM配置到0x0-Why is called pure: the project file to use here the original code provided by Samsung controller cod
ds_k4m511633c
- Datasheet for K4M511633C chip. It s a 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM from Samsung.
s3c6410_introduction
- 介绍arm11架构，s3c6410芯片架构，系统功能与应用-introduction of samsung s3c6410 (arm11）
sdram_samsung
- 三星SDRAM的verilog模型的完整源码-Verilog model of Samsung SDRAM complete source
User_manual_2410x
- This manual describes SAMSUNG s S3C2410X 16/32-bit RISC microprocessor. This product is designed to provide hand-held devices and general applications with cost-effective, low-power, and high-performance microcontroller solution in small die size
verilog_k4s643232h_0401
- Samsung SDRAM Simulation Verilog
ucos276_S3C2400_ADS_1.2_release
- Target board specifications ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ CPU : Samsung S3C2400 (ARM920T core) ROM : HY29LV160 for internal boot ROM and HY29LV1024 for external boot ROM RAM : Samsung K4S281632 16MB(2M*16bit*4banks) SDRAM * 2EA Compiler :
SAMSUNG_K4S641632K
- 三星SDRAM K4S641632K 数据手册-samsung K4S641632K sdram datasheet
YLP2440
- 1.1 YLP2440开发板简介 YLP2440开发板硬件资源: 中央处理器 ── CPU: Samsung S3C2440A，主频400MHz； 外部存储器 ── SDRAM：64MB； ── NAND Flash：64MB（K9F1208，用户可自己更换为16M、32M或128M的NandFlash） 串口 ── 两个五线异步串行口，波特率高达115200bps； 网络接口 ── 一个10M/100M网口，采用DM9000AEP，带联接和传输指示灯；-1.1 YLP2440 Developm
smdk2413_application_note_rev10
- SMDK2413 (Samsung MCU Development Kit) for S3C2413X is a platform that is suitable for code development of SAMSUNG s S3C2413X 16/32-bit RISC microcontroller (ARM926EJ-S) for hand-held devices and general applications. The S3C2413X consists of 16-/32-
sdram
- 基于ARM9内核三星S3C2440处理器的NAND测试程序 -The NAND test program based on the Samsung S3C2440 ARM9 core processor
sdramtest
- vhdl语言编写读写三星SDRAM程序，包含读写控制程序，地址转化程序，测试模块程序-vhdl language, reading and writing the Samsung SDRAM program, contains the read and write control procedures address conversion program, the test module program