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  1. asynram

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  2. 设计32×6位的RAM,其结构图如图2所示。其中,adr为地址引脚,cs、wr、rd分别为片 选、写和读引脚,din_out为输入输出引脚。当cs=0且wr由低到高(上升沿)时,din上的输 入数据写入adr指示的单元中;当cs=0且rd=0时,adr对应单元的数据在dout数据线上读出。 因wr在上升沿时写入数据,因此可以采用TEC-CA平台上的单脉冲按钮作为wr。-Design 326 of RAM, the structure shown in Figure 2. Which,
  3. 所属分类:VHDL-FPGA-Verilog

    • 发布日期:2017-03-29
    • 文件大小:338498
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