文件名称:id_Vg_v_as_param_new
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在存在界面层的情况下,铁电存储器MFIS-FET结构漏极电流随界面层厚度变化的关系-Interface layer in the presence of the case, ferroelectric memory, MFIS-FET structure, the drain current with changes in the relationship between the interface layer thickness
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