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信号反弹作用下的3D-SIC过硅通孔的测试结构
- 3d sic三维堆叠集成电路（3D-SIC）主要采用过硅通孔技术来实现模块在垂直方向上的互连，但是硅通孔在制造过程或绑定后阶段都有可能出现失效，导致整个芯片无法正常工作。我们针对绑定后阶段硅通孔，利用信号在导体中传输的不可逆性，在信号接收端增加反弹模块，通过在发送端施加两次不同测试激励，利用触发器和多路选择器将两次输出结果进行异或，来达到测试目的。在4x4硅通孔逻辑块中，硅通孔单元面积是45x45um2，180nm CMOS工艺下，实验结果表明，测试结构面积和测试平均功耗分别减少59.8%和18