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NAND_Controller_and_ECC_VHDL
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tn2905
- Micron 公司的NAND flash ECC模块技术文档。
ECC_Algorithm_Toshiba_v2.1
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- NAND Flash的BCH ECC算法。
Types_of_ECC_Used_on_Flash_AN_01_e
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- Samsung nand flash MEMORY ECC结构和检验
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- samsung nand flash k9f series ECC algorithm
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- 1bit的用于nand flash的纠错码编解码器。vhdl-1bit ecc for nand flash vhdl
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- NAND Flash的ECC算法原理和实现。NAND Flash由于工艺的原因，不可避免有坏区，所以需要ECC 算法进行校验。-NAND Flash ECC Design
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- FPGA实现的NandFlash控制器（带ECC）文档+源代码。-FPGA implementation NandFlash controller (with ECC) document+ source code.
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- lpc2200系列cpu接Nand Flash使用的ECC校验算法-lpc2200 series cpu then Nand Flash ECC checksum algorithm used
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- 计算nand flash中数据块的ecc代码.nand flash一页为512+16大小-Nand flash in the calculation of the ecc code block. Nand flash page size of 512+16
NAND_FLASH_FACTORY_PROGRAM
- 一、 概况 1. NAND 闪存的种类 2. NAND 闪存的框架 3. 非全页的编程（Partial Page Programming） 4. 从NAND 启动（Booting From NAND） 二、 NAND 闪存的可靠性问题 1. 坏块管理（Bad Block Management，BBM) 2. 坏块管理算法的规范 （BBM Algorithm Specification） 3. 6 个工厂编程的坏块管理的要素（Six BBM
uffs-v1.3.3
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NRS_5_3_GF256A
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14.nand
- NAND Flash的读写擦除 S5PV210的NAND Flash控制器有如下特点： 1) 支持512byte,2k,4k,8k的页大小 2) 通过各种软件模式来进行NAND Flash的读写擦除等 3) 8bit的总线 4) 支持SLC和MCL的NAND Flash 5) 支持1/4/8/12/16bit的ECC 6) 支持以字节/半字/字为单位访问数据/ECC寄存器，以字为单位访问其他寄存器。 注意：在此使用的Mini210S的NAND Flash类型为SL
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- NAND FLASH ECC校验原理及源代码，CRC校验原理及代码-NAND FLASH ECC calculate and correct，CRC checksum
基于FPGA和NAND+Flash的存储器ECC设计与实现
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