搜索资源列表
a-block-driver
- 我们通过写一个建立在内存中的块设备驱动，来学习linux内核和相关设备驱动知识。最简单的方法写出一个能用的块设备驱动。-We write a block device driver, built in memory to learn the knowledge of the Linux kernel and device driver. The easiest way to write a usable block device driver.
linux_shm_open
- linux 共享内存操作，涉及共享内存的控制读写同步。-linux shared memory operations involved in the control of the shared memory read and write synchronization.
fxload-2008_10_13.tar
- FXLOAD UTILITY 这个程序是方便可以下载固件到FX，FX2， 和FX2LP的EZ-USB设备，以及原始AnchorChips的EZ-USB。 它的目的是要调用热插拔脚本时未编程 设备出现在总线上。 主要是作为一个开发援助，这也可以被用来更新 从I2C串行EEPROM引导设备上的固件。对于那 使用，以及将固件下载到所有其他的片外存储器， 的第二阶段加载程序必须首先被下载。 的分布包括“a3load.hex”，这是一个简单的第二阶段
memdevice
- linux的内存读写驱动以及相关的测试应该程序能实现内存分配，读写，检测是否内存损坏等功能！-the Linux memory read and write drive and associated test program should be able to achieve memory allocation, read and write, detect whether memory corruption function!
program
- 编写一段程序，同时父进程创建两个子进程p1和p2；并使子进程p1与子进程p2通过共享存储区相互发送数据(５１２字节)。 （１）掌握系统调用shmget()、shmat()、shmdt()、shmctl()的使用方法及其功能，理解共享存储区通信原理； （２）系统理解linux 的三种通信机制。 -Write a program, while the parent process creates two child processes p1 and p2 make child
fm25l04_drv
- fm25l04驱动，内核linux3.2，铁电存储有速度快，可以频繁读写，寿命长的特点-fm25l04 driver, the kernel linux3.2, ferroelectric memory with fast, can read and write frequent, long life
xuni
- 编写一个程序，模拟一个页式虚拟存储管理系统。（不考虑地址转换） 其中，由系统随机产生进程； 进程大小、进程到达次序、时间、进程执行轨迹（页面访问顺序）也随机生成，但进程之间必须有并发存在，进程执行时间需有限，进程调度采用时间片轮转算法（以页面模拟）； 物理块分配策略采取固定分配局部置换； 分配算法采用按比例分配算法； 调页采用请求调页方式； 置换采用LRU算法； 驻留集大小可调，观察驻留集大小对缺页率的影响。-Write a program that simulate
shm
- Linux IPC操作之共享内存，代码包含共享内存的读和写的范例-Linux IPC shared memory operation, the code contains examples of shared memory read and write
5120379003.tar
- In this lab, you will write the memory management code for your operating system. Memory management has two components. The first component is a physical memory allocator for the kernel, so that the kernel can allocate memory and later free it.
linux-driver-when-use-IO-remap
- 对linux设备驱动编写过程中使用内存映射进行了详细描述，并且对时钟的来源进行了详细分析。-In the Linux device driver to write the process of using the memory mapping is described in detail, and the clock source for a detailed analysis.
MB85RC64V
- MB85RC64了 FRAM（铁电随机存取记忆体）独立芯片配置了8192×8位，形成铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术非易失性内存中的细胞。 MB85RC64采用两线串行接口（与世界标准的I2C总线兼容）。与SRAM不同的MB85RC64是无需使用数据备份电池，能够保留数据。 MB85RC64的读写次数10亿次，与EPROM和FLASH相比，有显著的改善。而且不在向写完存储器后，不需要查询序列。 -MB85RC64 out FRAM (ferroelectric random acce