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  1. SiC

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  2. SiC衬底X波段GaNMMIC的研究博士论文-SiC substrate X-band study GaNMMIC doctor thesis
  3. 所属分类:Project Design

    • 发布日期:2017-04-03
    • 文件大小:125.2kb
    • 提供者:谢添
  1. databasedesigndesignsupermarketmanagementsystem.ra

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  2. [目录] 1. 引言 2. 数据字典 3. 数据库设计 [原文] 1. 引言 1.1. 编写目的 本数据库设计说明书专门为超市仓库管理系统小组的开发人员编写 -[Contents] 1. Introduction 2. Data dictionary 3. Database design [sic] 1. INTRODUCTION 1.1. The purpose of this database to prepare the design sp
  3. 所属分类:software engineering

    • 发布日期:2017-04-24
    • 文件大小:15.67kb
    • 提供者:lee
  1. phased-array-radar

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  2. 一篇综述性的文章:近半个世纪以来相控阵雷达在全球的应用愈来愈广,近几年来所看到的突破,导致以往不可能的性能。这可由被称为单片微波集成电路(MMIC)的GaAs微波集成电路的开发作例证,它们使制造重量轻、体积小、高可靠性和较低价格的有源电子扫描阵列(AESA)成为可能。这种开发已使现在有可能制造一种成本低的35GHz导弹搜索相控阵,其价格为30美元/单元(包含所有 电子设备的阵列总价格除以单元数)。由于集成可使整个T/R模块置于一个芯片上。由Moore定律预测的发展使之可制作具有多种优点的数字
  3. 所属分类:Communication

    • 发布日期:2017-03-22
    • 文件大小:619.41kb
    • 提供者:可难
  1. nasm-2.05rc5-win32

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  2. Assembler program SIC-assembler
  3. 所属分类:Project Manage

    • 发布日期:2017-03-27
    • 文件大小:325.26kb
    • 提供者:heba
  1. 信号反弹作用下的3D-SIC过硅通孔的测试结构

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  2. 3d sic三维堆叠集成电路(3D-SIC)主要采用过硅通孔技术来实现模块在垂直方向上的互连,但是硅通孔在制造过程或绑定后阶段都有可能出现失效,导致整个芯片无法正常工作。我们针对绑定后阶段硅通孔,利用信号在导体中传输的不可逆性,在信号接收端增加反弹模块,通过在发送端施加两次不同测试激励,利用触发器和多路选择器将两次输出结果进行异或,来达到测试目的。在4x4硅通孔逻辑块中,硅通孔单元面积是45x45um2,180nm CMOS工艺下,实验结果表明,测试结构面积和测试平均功耗分别减少59.8%和18
  3. 所属分类:技术管理

    • 发布日期:2013-03-07
    • 文件大小:1.16mb
    • 提供者:yang_kael
  1. script_ber_mimo_mmse_sic_bpsk_rayleigh_channel.ra

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  2. this is a MIMO-SIC simulation
  3. 所属分类:software engineering

    • 发布日期:2017-12-01
    • 文件大小:2.12kb
    • 提供者:majid
  1. script_ber_mimo_ml_bpsk_rayleigh_channel

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  2. this is a MIMO-SIC simulation
  3. 所属分类:software engineering

    • 发布日期:2017-12-10
    • 文件大小:1.41kb
    • 提供者:majid
  1. ProjectMotroniuk_with-ZF-SIC-and-MMSE-SIC

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  2. Project on_EXTENDING ALGORITHMS FOR DETERMINING THE DECODING ORDER BY THE USAGE OF AN MMSE APPROACH- ZF-SIC and MMSE-SIC thesis-Project on_EXTENDING ALGORITHMS FOR DETERMINING THE DECODING ORDER BY THE USAGE OF AN MMSE APPROACH- ZF-SIC and MMSE-SIC
  3. 所属分类:Development Research

    • 发布日期:2017-11-14
    • 文件大小:389.4kb
    • 提供者:jes2012
  1. An all SiC MOSFET High Performance PV Converter Cell

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  2. Recent studies have pointed out the benefits of using Silicon Carbide (SiC) devices in photo-voltaic power conversion. In Particular, SiC Power MOSFET technology has greatly advanced over the last years and has presently reached sufficient maturity t
  3. 所属分类:报告论文

    • 发布日期:2015-12-03
    • 文件大小:400.28kb
    • 提供者:mirvan
  1. csic

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  2. abaqus中复合材料实体单元,分层损伤子模型。可用于陶瓷基复合材料损伤。-c/sic composite damage
  3. 所属分类:File Formats

    • 发布日期:2017-04-14
    • 文件大小:2.84kb
    • 提供者:罗小天
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