搜索资源列表
inedi
- iNEDI is an acronym for \"improved New Edge-Directed Interpolation\". This function implements an improvement of the original NEDI technique described on: X. Li et. al., \"new edge-directed interpolation\". IEEE Trans. on Image Processing, V
AQUILA
- AQUILA is a MATLAB toolbox for the one- or twodimensional simulation of ％the electronic properties of GaAs/AlGaAs semiconductor ％nanostructures. -AQUILA is a MATLAB toolbox for the one - or tw odimensional simulation of the electronic pr% operti
NJG1130KA1_Ver1
- njg1130 GPS LOW NOISE AMPLIFIER GaAs MMIC
GAAS
- 遗传算法与蚁群算法演示程序~ 城市间最短路径和曲线图
GAAS
- 遗传算法和蚁群算法演示程序，可以面向初学两算法的人，提供一个良好的开始
GaAs
- (can)表面再构对GaAs分子束外延薄膜生长的影响
GaAs
- GaAs导带和价带附近的等能面的计算程序
gaasC
- C C#编程 gaas C# 蚁群算法-C C# Programming gaas C# Ant colony algorithm
GAAStsp
- c写的遗传和蚁群融合用于tsp的代码 很好的写论文的材料-genetic and ant colony algorithm for tsp
GAAS
- 关于遗传算法和蚁群算法的一个模拟程序！ -wu
GaAs_Band
- 用赝势法计算GaAs能带的标准方法,所有参数已全部给出-The calculation GaAs energy band
SBA-4086
- Sirenza的Microdevices公司 的SBA - 4086是一种高性能的InGaP / GaAs 异质结双极晶体管MMIC放大器。-Sirenza' s Microdevices, ' and SBA- 4086 is a high performance InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor MMIC amplifier.
phased-array-radar
- 一篇综述性的文章：近半个世纪以来相控阵雷达在全球的应用愈来愈广，近几年来所看到的突破，导致以往不可能的性能。这可由被称为单片微波集成电路(MMIC)的GaAs微波集成电路的开发作例证，它们使制造重量轻、体积小、高可靠性和较低价格的有源电子扫描阵列(AESA)成为可能。这种开发已使现在有可能制造一种成本低的35GHz导弹搜索相控阵，其价格为30美元／单元(包含所有 电子设备的阵列总价格除以单元数)。由于集成可使整个T／R模块置于一个芯片上。由Moore定律预测的发展使之可制作具有多种优点的数字
RF_AND_MICROWAVE_POWER_AMPLIFIER_DESIGN
- RF AND MICROWAVE POWER AMPLIFIER DESIGN NONLINEAR ACTIVE DEVICE MODELING Power MOSFETs GaAs MESFETs and HEMTs BJTs and HBTs-RF AND MICROWAVE POWER AMPLIFIER DESIGN NONLINEAR ACTIVE DEVICE MODELING Power MOSFETs GaAs MESFETs and HEM
GaAs_GaAlAs_QW
- 利用matlab仿真GaAs/AlGaAs量子阱材料的载流子特性-simulate the electrons and holes characteristics in GaAs/AlGaAs QW
Band-parameters-for-IIIV-compound-semiconductors-
- We present a comprehensive, up-to-date compilation of band parameters for the technologically important III–V zinc blende and wurtzite compound semiconductors: GaAs, GaSb, GaP, GaN, AlAs, AlSb, AlP, AlN, InAs, InSb, InP, and InN, along with their
GaAs2
- this code solve poisson schridinger for GaAs
STUDYON128@1ELEMENTLINEARInGaAsSHORT
- 128*1线列InGaAs短波红外焦平面的研究-STUDY ON 128*128 ELEMENT LINEAR In GaAs SHORT WAVE LENTH INFRARED FOCAL PLANE ARRAY
Doherty-Power-Amplifier
- 描述了一个完全的第一个示范 集成Doherty功率放大器（PA）的单片微波 后失真线性集成电路（MMIC） 毫米波（毫米波）频段。 Doherty放大器 单片，使用0.15米的GaAs HEMT的过程中，实现了小 7 dB的信号增益从38至46千兆赫，具有结构紧凑的芯片尺寸 2毫米 2 。 Doherty放大器的饱和输出功率 21.8 dBm的。 Doherty放大器之间的相似拓扑 和后失真线性化，使人们有可能改善 同时在毫米波功率放大器设计的效率和线性度。 门的主要和峰值放大器偏置优化后， 漏
brutalidad
- GaAs Arsenium Galium Abintio Files for Solid state programs