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搜索资源列表

  1. GAAS

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  2. 关于遗传算法和蚁群算法的一个模拟程序! -wu
  3. 所属分类:software engineering

    • 发布日期:2017-03-31
    • 文件大小:590.75kb
    • 提供者:
  1. SBA-4086

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  2. Sirenza的Microdevices公司 的SBA - 4086是一种高性能的InGaP / GaAs 异质结双极晶体管MMIC放大器。-Sirenza' s Microdevices, ' and SBA- 4086 is a high performance InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor MMIC amplifier.
  3. 所属分类:Project Design

    • 发布日期:2017-03-30
    • 文件大小:264.25kb
    • 提供者:峰之巅
  1. phased-array-radar

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  2. 一篇综述性的文章:近半个世纪以来相控阵雷达在全球的应用愈来愈广,近几年来所看到的突破,导致以往不可能的性能。这可由被称为单片微波集成电路(MMIC)的GaAs微波集成电路的开发作例证,它们使制造重量轻、体积小、高可靠性和较低价格的有源电子扫描阵列(AESA)成为可能。这种开发已使现在有可能制造一种成本低的35GHz导弹搜索相控阵,其价格为30美元/单元(包含所有 电子设备的阵列总价格除以单元数)。由于集成可使整个T/R模块置于一个芯片上。由Moore定律预测的发展使之可制作具有多种优点的数字
  3. 所属分类:Communication

    • 发布日期:2017-03-22
    • 文件大小:619.41kb
    • 提供者:可难
  1. STUDYON128@1ELEMENTLINEARInGaAsSHORT

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  2. 128*1线列InGaAs短波红外焦平面的研究-STUDY ON 128*128 ELEMENT LINEAR In GaAs SHORT WAVE LENTH INFRARED FOCAL PLANE ARRAY
  3. 所属分类:Project Design

    • 发布日期:2017-03-31
    • 文件大小:268.31kb
    • 提供者:土坷砬
  1. EPM2428V120327

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  2. EPM2428 is a new product belonging to RFIC’s EPM family. It’s a three-stage power amplifier with super high output power in 2.4-2.5GHz band utilizing InGaP/GaAs HBT process. With excellent linearity performance, the device delivers 28dBm
  3. 所属分类:File Formats

    • 发布日期:2017-11-16
    • 文件大小:77.56kb
    • 提供者:tsairuoyun
  1. Triangular-lattice-with-air-holes-in-Si-or-GaAs-m

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  2. Here, for convenience, the vector in 2D is represented by a complex number: the real part represents the x-component and the imaginary part represents the y-component. How to get the Fourier transform is the key of this program. Here I used the a
  3. 所属分类:software engineering

    • 发布日期:2017-11-07
    • 文件大小:845byte
    • 提供者:steven
  1. Semi-lumped

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  2. 用于宽带小型GaAs FET放大器的半集总元件阻抗匹配网络-Semi-lumped element impedance matching network for broadband GaAs FET amplifier small
  3. 所属分类:Document

    • 发布日期:2017-04-08
    • 文件大小:755.6kb
    • 提供者:王墨墨
  1. Presentation1

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  2. vertical-cavity surface-emitting laser (semiconductor laser device, diode laser) Telecomunications, Pumping source Wave length : infrared to visible etched mesa VCSEL 980nm Buried tunnel junction(BTJ) VCSEL 1300nm,1550nm Material: ALG
  3. 所属分类:Development Research

    • 发布日期:2017-05-03
    • 文件大小:725.37kb
    • 提供者:wail
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