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  2. This asset originates from the tunneling injection being free of the subthreshold slope limit that fundamentally blocks the MOSFET [3]. Moreover, the limit of low ION in TFETs is wearing off, as drive currents around 100 ìA/ìm have been repor
  3. 所属分类:Document

    • 发布日期:2017-05-03
    • 文件大小:927783
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